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その他
アナログ出力 ON/OFFの信号ではなく、受光量や距離/変位量に比例した信号を段階的に出力する機能。変位センサでは、フルスケールの範囲で距離と直線的に変化します。種類は、電圧出力と電流出力があり、電圧出力は0〜10V、±5V、±10Vなどがあります。電流出力は一般的に4−20mAを指します。
エリアセンサ 投光器には多数の投光部を、受光器には多数の受光部を1列に配し、線ではなく面(エリア)で検出できるようにしたセンサ。透過型が一般的ですが、回帰反射型のエリアセンサもあります。
開閉頻度 1秒あたりのスイッチング動作の最大数。  
気圧の影響 周囲環境の大気圧変化によって光速度は0.3ppm/hPaだけ影響を受けます。タイム・オブ・フライト方式のレーザ距離センサは光速度にその伝播時間を積算する事により距離を算出するため、測定値は同率に変動をうけます(hPaヘクトパスカルは8mの高度差により起こる気圧変化で、基本単位はmb(ミリバール)と同じです。ppmは100万分の1単位、したがって実距離が変化しない場合、周囲の気圧が1hPa変化すると測定値はその時点での距離測定値の100万分の0.3だけ変化します)。超音波センサでも同様で気圧の影響を受け、レーザ距離センサより受ける影響は大きくなります。
気温の影響

周囲環境の温度変化によって光速度は1ppm/Kだけ影響を受けます。タイム・オブ・フライト方式のレーザ距離センサは光速度にその伝播時間を積算する事により距離を算出するため、測定値は同率に変動をうけます(Kは絶対温度単位ケルビン、基本単位は℃と同じです。ppmは100万分の1単位、したがって実距離が変化しない場合、周囲の温度が1℃変化すると測定値はその時点での距離測定値の100万分の1だけ変化します)。超音波センサでも同様に気温の影響を受けますが、レーザ距離センサより受ける影響は大きくなります。

逆接保護 電源線の極性が誤って結線されても、内部保護回路によって破壊を防ぐとともに、誤った信号を発生する誤動作が起きない機能。
距離センサ センサ内部の光源(LEDやレーザダイオード)から照射された光が、測定対象物にあたると反射され、センサの受光素子で受光されます。その反射された光を評価・演算し、距離に換算して出力するセンサが距離センサです。
近接センサ

検出面に接近する、または近くにある物体の有無を非接触で検出するセンサです。電磁誘導作用による渦電流の変化により動作するので、検出物体は金属に限定されます。また鉄等の磁性金属に対しては検出距離が長く、銅やアルミニウム等の非磁性金属に対しては検出距離が短くなります。光電センサに比べ検出距離は極端に短くなりますが、光を使わないので汚れに強く、構造もシンプルなので安価で導入できるのが特長です。

継電流 近接センサが安定して機能できる供給電流値。
検出距離低減係数

仕様の検出範囲はすべてt=1mmのSt37(Fe)を基準としますが、その他の材質の場合は距離にかなりの低減が生じることがあり、その低減係数です。実際の機種の選定や、それぞれの合金でできた物体に合わせた校正の際は、これらの修正係数を考慮する必要があり、近接センサを取り付ける際は、信頼検出レンジ(Snの81%)を基本としてください。厳密な距離で検出する場合は、感度ボリウムを調整するか、取付時に検出物体までの距離を微調整してください。

検出範囲(近接センサ) 有効面に向かって同軸方向に動く測定板を検出しセンサが信号変化をする距離。
光軸ピッチ 光軸と光軸の中心距離。間隔が狭いほど小さな物体を検出できますが、光軸ピッチが狭い(光軸数が多い)と高価になります。
最小負荷電流 2線式近接センサで、信頼性の高い動作を確保するために出力線に流れなければならない最小負荷電流。
残留電圧 出力がオフ(無通電)でも負荷の間を流れる電流値。
シールド取付 近接センサを金属部材の中に埋め込むことができ、有効面と金属面を同一平面にすることができます。
受光素子 投光器や反射ミラー、検出物体等からの光を受け、電気信号に変換する電子部品。主にフォトダイオードやフォトトランジスタ等が使用されるが、BGSセンサや変位センサ、画像センサではCCDやC-MOS素子といった数百~数十万個の素子(画素)を配したイメージセンサが使用されます。
準シールド取付 金属に完全に埋め込んでの取付はできないが、わずかな突き出しですむ近接センサの種類。
スパン調整 アナログ出力の傾きを調整する機能です。
静電容量センサ 検出物体とセンサの間に生じる静電容量の変化を検出するセンサ。近接センサと異なり、金属以外に樹脂、水等も検出可能です。
測定確度 ある厳密に測定された既知の距離位置に測定対象物が静止しているとき、その距離値と測定値の誤差の範囲。(いわゆる絶対精度)  
タイム・オブ・フライト 投光光源で生成されたパルスレーザが照射されてから受光素子で受光されるまでのわずかな時間を測定し、その時間差を距離に換算する距離の測定方式。  
断線保護 供給線の1本が断線した場合、出力は非検出の状態で保持される機能。(誤動作が起きません。ジック社近接センサに装備。)  
短絡保護 過負荷あるいは直接短絡に対してあるレベルで回路が保護されていること。負荷が限界値を超えた場合、出力は非検出時と同状態となり、その後は周期的に短絡が残存していないかどうかを調べます。短絡がなくなれば自動リセットが実行されます。  
超音波センサ 人間の耳には聞こえない波長の音波を発信し、反射波の有無や時間により検出・距離を測定するセンサです。
電源投入時の障害パルス抑制 電源電圧の投入から発振回路の発振開始までの間に、誤動作して出力が反転しない機能。
透過型 投光器と受光器(超音波センサの場合は送信機と受信機)をセットで使用するセンサ。投/受光間を遮ることでON/OFFする。他の検出方式に比べ、長距離検出が可能です。
投光光源 光電センサやレーザ変位センサ・画像センサ等の、光を媒体として検出物体を検出/判別するのに必要な光。主に長寿命のLED(Light Emitting Diode=発光ダイオード)が使用されるが、距離測定/計測用途にはレーザ光(主として半導体レーザダイオード)が使用されます。
動作準備時間 動作電圧を印加してからセンサが動作状態になるまでに必要な時間。
動作電圧 近接センサが安定して機能できる供給電圧範囲。
非シールド取付 フリーゾーンが維持されるように、取り付けた金属部材から先端が突き出して取り付けなければならない近接センサの種類。
非接触温度計

身の回りの物体には表面から赤外線を放出しています(放射量は物体の熱量に比例)。非接触温度計とは、物体に触れずに赤外線を受光し、赤外線放射量を温度に換算して計測する機器のことである。

保護構造 IEC(International Electrotechnical Commission:国際電気標準会議)・JIS(日本工業規格)で定められた防塵・防水構造。これによってセンサの耐環境性の目安を知ることができます。IP67というように数字部分の十の位が粉塵に対する保護、一の位が水の浸入に対する保護となり、数字が大きいほど高い保護を意味します。
リニアリティ(直線性) 本来は単に“直線性”という意味ですが、変位センサのリニアリティというと測定範囲内における絶対距離との誤差、つまり精度を表します。例えば、50±10mmの変位センサで±0.1%FSのリニアリティの製品は、(10mm×2)×0.001=0.02mmになり、実際の距離との誤差は最大±0.02mmとなります。
レーザクラス 1 設計上、本質的に安全であるレーザ。どのような光学的手段で集光しても眼に対して安全なレベルであり、クラス1であることを示すラベルを貼ること以外は、特に対策は要求されていません。
レーザクラス 1M 波長範囲302.5 - 4000nmで低出力。光学的手段でビーム内を観察すると危険となる場合があります。
レーザクラス 2 可視光(波長範囲400〜700nm)で低出力。眼の保護は「まばたき」等の嫌悪反応により行われます。
レーザクラス 2M 可視光(波長範囲400〜700nm)で低出力。眼の保護は「まばたき」等の嫌悪反応により行われます。光学的手段でビーム内を観察すると危険となる場合があります。
レーザクラス 3B 出力が500mW以下のレーザで、直接ビーム内を観察すると危険。鍵やインタ−ロックの取付、使用中の警報表示等も必要です。
レーザクラス 3R

直接のビーム内観察は潜在的に危険ですが、その危険性はクラス3B以上のレーザよりも低いレーザ。製造者や使用者に対する規制対策がクラス3Bレーザに比べ緩和されています。AEL(Accessible Emission Limit:被曝放出限界)は、可視光以外(波長302.5nm〜)ではクラス1の5倍以下、可視光(波長範囲400〜700nm)ではクラス2の5倍以下です。鍵やインタ−ロックを取り付ける必要がありません。

レーザクラス 4 散乱された光を見ても危険な高出力レーザ。皮膚に当たると火傷を生じたり、物に当たると火災を生じる危険がある。出射したレーザビームは必ずブロックする等の対策が必要。当然のことながら鍵やインタ−ロックを取り付ける必要があります。使用中の警報表示等も必要です。
レーザ光

位相の揃った単波長の人工光。Light Amplification by Stimulated Emission of Radiationの頭字語。LEDに比べ指向性に優れ、投光パワーが強いのが特長。光電センサでは長距離検出や高精度位置決め、微小物体検出に適している。また変位センサでは、その優れた指向性により小スポット化が容易なため、高精度に測定が可能となる。投光パワーが強いので、日本においてはIEC規格と整合したJIS C 6802により、その危険度に応じた7つのクラスに分類されています。

ロータリエンコーダ 外部より自在に回転させることのできるシャフトやフランジを備え、これを回転させると回転角度に応じた出力信号を発生するものです。1回転させると決まったパルス数を出力するインクリメンタル型と、シャフトの回転位置(角度)を出力するアブソリュート型があります。
ワーク 検出する物体のことを総称してワークと呼びます。
C
C-MOS素子

Complementary Metal Oxide Semiconductorの頭字語で相補性金属酸化膜半導体の意。1次元もしくは2次元に並列された非常に高分解能な画素により構成される受光素子であり、各画素ごとに受光量を検出できるので、CCD素子と同じくレーザ変位センサや三角測距式の距離センサおよび画像センサの受光素子として使用されます。CCD素子に比べ感度は低いが、素子が小さく消費電流も少ないのが特長です。

CCD素子 Charge Coupled Deviceの頭字語で固体撮像素子の意。1次元もしくは2次元に並列された非常に高分解能な画素により構成される受光素子であり、各画素ごとに受光量を検出できるので、C-MOS素子と同じくレーザ変位センサや三角測距式の距離センサおよび画像センサの受光素子として使用されます。CCDには他の撮像素子に比べて相対的に感度が高くノイズが少ないという特長がありますが、動作には複数の電圧が必要なので、数種の電圧を生成するための電源LSIが必要です。またC-MOS素子に比べサイズが大きく、消費電流も高くなっています。
I
IP69K ドイツの規格であるDIN40050 Part9に規定されている保護等級で、定められた条件下での高温水/低温水による高圧噴流に対する防水性です。
N
NPN出力 出力トランジスタ動作時、電流をセンサ側に吸い込む出力形態。カレント・シンク型とも呼ばれる。日本においては電流出力のオープンコレクタが一般的です。
O
OES Opto Elektronischer Schaltkreisの略(独語。英語ではOpto-Electronic Circuit)。ジック社独自開発のASIC技術によるオンチップ多分割受光素子。受光位置が特定可能なので距離センサに使用されます。C-MOS素子に比較し低分解能ですが、コストは安価ですみます。
OFFディレイタイマ 出力がOFFする時間を遅らせるタイマ機能。取り込みの遅い機器へ入力する際に使用。
P
PNP出力 出力トランジスタ動作時、電流を制御機器側に吐き出す出力形態。カレント・ソース型とも呼ばれる。主にヨーロッパで一般的な出力形態です。
PSD素子 Position Sensitive Deviceの略で位置検出素子の意。多分割受光素子の一種。受光位置が特定できるので変位センサに使用されますが、検出物体の色変化に弱い特性を持っています。