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変位
アナログ出力 ON/OFFの信号ではなく、受光量や距離/変位量に比例した信号を段階的に出力する機能。変位センサでは、フルスケールの範囲で距離と直線的に変化します。種類は、電圧出力と電流出力があり、電圧出力は0〜10V、±5V、±10Vなどがあります。電流出力は一般的に4−20mAを指します。
応差距離 反射型センサを標準検出物体に正面から近づけONする位置と、そこから離していきOFFする位置との距離の差。
応差特性 反射型センサが検出物体の色によってどれだけの段差判別が可能かの特性。検出物体までの距離の%で表されます。
応答時間 検出物体で光軸を遮ってから出力されるまでの時間。変位センサでは、アナログ出力では10〜90%まで変化するために要した時間を「応答時間」で表現します。
オフセット(ゼロリセット) アナログ出力の中心値(4~20mAなら12mA)を任意の距離に設定する機能です。
温度特性 ±0.08%FS/℃や0.2mm/K(K:絶対温度単位ケルビン)というように表現されます。±0.08%FS/℃で50±10mmの変位センサの場合、20mm×0.0008=16μmとなり、1℃変化するごとに最大±16μm測定値力が変化すると読みます。
開閉頻度 1秒あたりのスイッチング動作の最大数。  
拡散反射方式 投光ビームを測定面に対して垂直に投光し、反射光のなかの拡散反射光を受光する方式で、測定範囲を広くとることができます。ただし、拡散反射がほとんどない透明体や鏡面体の測定には不向きです。
繰返精度 センサがまさに検出する位置のバラつき量。変位センサでは、測定可能な最小距離単位となります。
繰返精度(分解能) アナログ出力のスペックの1つとして使われています。変位センサや距離センサの繰返精度というと、“検出物体を静止させたときのアナログ出力のばたつきのPeak to Peakの距離換算値”ということです。また同一の測定対象物がある距離に停止した時の測定値と、再び同じ位置に停止した時の測定値との誤差(再現性)でもあります。
受光素子 投光器や反射ミラー、検出物体等からの光を受け、電気信号に変換する電子部品。主にフォトダイオードやフォトトランジスタ等が使用されるが、BGSセンサや変位センサ、画像センサではCCDやC-MOS素子といった数百~数十万個の素子(画素)を配したイメージセンサが使用されます。
スパン調整 アナログ出力の傾きを調整する機能です。
正反射方式 投光角と受光角に角度をつけて光学系が配置されており、反射光の正反射成分を受光する方式で、主に透明体や鏡面体の測定に用いられます。測定範囲が拡散反射方式に比べて短くなってしまうのが欠点ですが、短くなった分、繰返精度や精度は高くなります。
ティーチ入力 センサ本体を操作せずに外部からの入力信号で感度を調整する機能。
同期入力 入力信号を印加することで、センサを必要なタイミングで動作させる機能。
投光光源 光電センサやレーザ変位センサ・画像センサ等の、光を媒体として検出物体を検出/判別するのに必要な光。主に長寿命のLED(Light Emitting Diode=発光ダイオード)が使用されるが、距離測定/計測用途にはレーザ光(主として半導体レーザダイオード)が使用されます。
動作準備時間 動作電圧を印加してからセンサが動作状態になるまでに必要な時間。
フルスケール 変位センサの測定範囲のこと。例えば50±10mmの変位センサならフルスケールは20mmとなります。
保護構造 IEC(International Electrotechnical Commission:国際電気標準会議)・JIS(日本工業規格)で定められた防塵・防水構造。これによってセンサの耐環境性の目安を知ることができます。IP67というように数字部分の十の位が粉塵に対する保護、一の位が水の浸入に対する保護となり、数字が大きいほど高い保護を意味します。
リニアリティ(直線性) 本来は単に“直線性”という意味ですが、変位センサのリニアリティというと測定範囲内における絶対距離との誤差、つまり精度を表します。例えば、50±10mmの変位センサで±0.1%FSのリニアリティの製品は、(10mm×2)×0.001=0.02mmになり、実際の距離との誤差は最大±0.02mmとなります。
レーザクラス 1 設計上、本質的に安全であるレーザ。どのような光学的手段で集光しても眼に対して安全なレベルであり、クラス1であることを示すラベルを貼ること以外は、特に対策は要求されていません。
レーザクラス 1M 波長範囲302.5 - 4000nmで低出力。光学的手段でビーム内を観察すると危険となる場合があります。
レーザクラス 2 可視光(波長範囲400〜700nm)で低出力。眼の保護は「まばたき」等の嫌悪反応により行われます。
レーザクラス 2M 可視光(波長範囲400〜700nm)で低出力。眼の保護は「まばたき」等の嫌悪反応により行われます。光学的手段でビーム内を観察すると危険となる場合があります。
レーザクラス 3B 出力が500mW以下のレーザで、直接ビーム内を観察すると危険。鍵やインタ−ロックの取付、使用中の警報表示等も必要です。
レーザクラス 3R

直接のビーム内観察は潜在的に危険ですが、その危険性はクラス3B以上のレーザよりも低いレーザ。製造者や使用者に対する規制対策がクラス3Bレーザに比べ緩和されています。AEL(Accessible Emission Limit:被曝放出限界)は、可視光以外(波長302.5nm〜)ではクラス1の5倍以下、可視光(波長範囲400〜700nm)ではクラス2の5倍以下です。鍵やインタ−ロックを取り付ける必要がありません。

レーザクラス 4 散乱された光を見ても危険な高出力レーザ。皮膚に当たると火傷を生じたり、物に当たると火災を生じる危険がある。出射したレーザビームは必ずブロックする等の対策が必要。当然のことながら鍵やインタ−ロックを取り付ける必要があります。使用中の警報表示等も必要です。
レーザ光

位相の揃った単波長の人工光。Light Amplification by Stimulated Emission of Radiationの頭字語。LEDに比べ指向性に優れ、投光パワーが強いのが特長。光電センサでは長距離検出や高精度位置決め、微小物体検出に適している。また変位センサでは、その優れた指向性により小スポット化が容易なため、高精度に測定が可能となる。投光パワーが強いので、日本においてはIEC規格と整合したJIS C 6802により、その危険度に応じた7つのクラスに分類されています。

ワーク 検出する物体のことを総称してワークと呼びます。
C
C-MOS素子

Complementary Metal Oxide Semiconductorの頭字語で相補性金属酸化膜半導体の意。1次元もしくは2次元に並列された非常に高分解能な画素により構成される受光素子であり、各画素ごとに受光量を検出できるので、CCD素子と同じくレーザ変位センサや三角測距式の距離センサおよび画像センサの受光素子として使用されます。CCD素子に比べ感度は低いが、素子が小さく消費電流も少ないのが特長です。

CCD素子 Charge Coupled Deviceの頭字語で固体撮像素子の意。1次元もしくは2次元に並列された非常に高分解能な画素により構成される受光素子であり、各画素ごとに受光量を検出できるので、C-MOS素子と同じくレーザ変位センサや三角測距式の距離センサおよび画像センサの受光素子として使用されます。CCDには他の撮像素子に比べて相対的に感度が高くノイズが少ないという特長がありますが、動作には複数の電圧が必要なので、数種の電圧を生成するための電源LSIが必要です。またC-MOS素子に比べサイズが大きく、消費電流も高くなっています。
N
NPN出力 出力トランジスタ動作時、電流をセンサ側に吸い込む出力形態。カレント・シンク型とも呼ばれる。日本においては電流出力のオープンコレクタが一般的です。
O
OES Opto Elektronischer Schaltkreisの略(独語。英語ではOpto-Electronic Circuit)。ジック社独自開発のASIC技術によるオンチップ多分割受光素子。受光位置が特定可能なので距離センサに使用されます。C-MOS素子に比較し低分解能ですが、コストは安価ですみます。
OFFディレイタイマ 出力がOFFする時間を遅らせるタイマ機能。取り込みの遅い機器へ入力する際に使用。
P
PNP出力 出力トランジスタ動作時、電流を制御機器側に吐き出す出力形態。カレント・ソース型とも呼ばれる。主にヨーロッパで一般的な出力形態です。
PSD素子 Position Sensitive Deviceの略で位置検出素子の意。多分割受光素子の一種。受光位置が特定できるので変位センサに使用されますが、検出物体の色変化に弱い特性を持っています。